Syllabus
*
1. Přechod P-N. Ideální charakteristika přechodu P-N. Reálná charakteristika přechodu P-N v propustném a závěrném směru (typy průrazu). *
2. Schottkyho kontakt. Schottkyho efekt, základní přístupy k transportu nábojů (volt-ampérová charakteristika a kapacita Schottkyho diod). *
3. Struktura MIS. Kapacita ideální a reálné struktury MIS. *
4. Heterogenní přechody. Isotypové a anisotypové HP, pásové HP, pásové diagramy, transport náboje, dvourozměrný elektronový plyn, superstruktury. *
5. Fotovoltaické jevy. Přechod P-N ozářený rovnoběžně a kolmo k rovině přechodu, ozářený Schottkyho kontakt. Solární cely. *
6. Polovodičové zdroje optického záření. Elektroluminiscenční vrstvy, luminiscenční diody: materiály, účinnost setrvačnost. Polovodičové lasery: spektrální charakteristika, optická zpětná vazba, výpočet základních parametrů, konstrukce. Heterogenní lasery, lasery pro optické komunikace, degradace. *
7. Polovodičové detektory. Charakteristické parametry, parametry ovlivňující detektivitu. metody detekce záření, fotoodpory (poměr signál-šum, druhy fotoodporů), fotodiody a diody PIN, lavinové fotodiody (poměr signál-šum, režim činnosti, setrvačnsot), Schottkyho dioda, fototranzistor, využití struktur s proměnnou šířkou zakázaného pásu a supermřížek pro detekci z áření. Optrony. *
8. Polovodičové snímací elektronky. Vidikon, plumbikon, amorní křemík, struktury CCD s přenosem náboje, detektor SPRITE.
Annotation
Semiconductor sources and detectors of radiation based on classical and low- dimensional structures. Role of noise in detection of radiation, optical communications, solar cells.