Publikace
- Kinetika růstu In na povrchu Si(100)2x1 při nízkém pokrytí - STM studie2008 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Competition between thermally activated and tip-induced hopping of indium atoms on Si(100)2012 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Ultrasharp tungsten tips-characterization and nondestructive cleaning2012 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Elektronová struktura bizmutových linií na čistém a vodíkem pasivovaném povrchu Si(100)2010 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Heterogenní nukleace a odpojování atomů při jedno-dimensionálním růstu india na Si(100)-2x12009 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Studium růstu In na Si(100) metodami STM a KMC2008 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Stabilita řetízků In na Si(100) během pozorování v STM2007 | Matematicko-fyzikální fakulta
Loading network view...