Předměty
- Základy fyziky pevných látekNEVF158 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Fyzika pevných látekNFPL181 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Seminář - Nanomateriály: Fyzika, technologie, využití INFPL187 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Seminář - Nanomateriály: Fyzika, technologie, využití IINFPL188 | Matematicko-fyzikální fakulta
Publikace
- Closely spaced SiGe barns as stressor structures for strain-enhancement in silicon2013 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Study of threading dislocation density reduction in AlGaN epilayers by Monte Carlo simulation of high-resolution reciprocal-space maps of a two-layer system2013 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Growth and characterization of stacking fault reduced GaN( 1 0 1($)over-bar 3) on sapphire2013 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Three-dimensional reciprocal space mapping of diffuse scattering for the study of stacking faults in semipolar (11(2)over-bar2) GaN layers grown from the sidewall of an r-patterned sapphire substrate2013 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Strain relief and shape oscillations in site-controlled coherent SiGe islands2013 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Complementary information on CdSe/ZnSe quantum dot local structure from extended X-ray absorption fine structure and diffraction anomalous fine structure measurements2012 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Scanning tunneling microscopy reveals LiMnAs is a room temperature anti-ferromagnetic semiconductor2012 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Preparation of regularly ordered Ge quantum dot lattices in amorphous matrices2012 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Demonstration of molecular beam epitaxy and a semiconducting band structure for I-Mn-V compounds2011 | Matematicko-fyzikální fakulta, Přírodovědecká fakulta
- Tracking defect type and strain relaxation in patterned Ge/Si(001) islands by x-ray forbidden reflection analysis2011 | Matematicko-fyzikální fakulta
Loading network view...