Publikace
- Current-Voltage characteristics of GaSb homojunctions prepared by MOVPE2003 | Matematicko-fyzikální fakulta, Ústřední knihovna
- Growth-rate induced defects in GaSb2004 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Influence of growth rate on charge transport in GaSb homojunctions prepared by metalorganic vapor phase epitaxy2004 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Charge transport study and spectral response of GaSb/GaAs heterojunctions prepared by MOVPE2003 | Matematicko-fyzikální fakulta, Ústřední knihovna
- Improved photovoltaic method for measurement of minority carrier diffusion length applied to silicon solar cells2001 | Matematicko-fyzikální fakulta, Ústřední knihovna
- Diffusion length in CdTe by measurement of photovoltage spectra in CdS/CdTe solar cells2001 | Matematicko-fyzikální fakulta, Ústřední knihovna
- Transport mechanism and spectral characteristics of GaSb GaAs heterostructures prepared by MOVPE2001 | Matematicko-fyzikální fakulta, Ústřední knihovna
- Method of surface photovoltage extended to silicon wafers and solar cells of arbitrary thickness2001 | Matematicko-fyzikální fakulta, Ústřední knihovna
- Preparation and study of transport mechanism in GaAs/GaSb heterostructures2001 | Matematicko-fyzikální fakulta, Ústřední knihovna
- Surface photovoltage method applied to low-dimensional structures2000 | Matematicko-fyzikální fakulta, Ústřední knihovna
Loading network view...