Abstrakt
Připravili jsme monokrystal NdCr2Si2C pomocí Czochralski metody a zkoumali jsme ho pomocí měření měrného tepla a magnetizace v teplotním oboru 2-300 K a magnetických polí do 6 T, které byly aplikovány pod él hlavních krystalografických os.
Připravili jsme monokrystal NdCr2Si2C pomocí Czochralski metody a zkoumali jsme ho pomocí měření měrného tepla a magnetizace v teplotním oboru 2-300 K a magnetických polí do 6 T, které byly aplikovány pod él hlavních krystalografických os.