Stanovní koncentrace hlubokých hladin v CdTe pomocí fotovodivosti a TEES

Abstrakt

Koncentrace hlubokých hladin poblíž středu zakázaného pásu ve vysokoodporovém CdTe byly odhadnuty na základě kombinovaného vyhodnocení lux-ampérových charaktersistik a termoelektrické spektroskopie (77-400 K). Simulace experimentálních dat byla provedena simultánním řešením drift-difúzní a Poissoonovy rovnice pomocí modelu se dvěma hlubokými hladinami.

Klíčová slova

• Evaluation
• Concentration
• Levels
• Semi-Insulating
• Photoconductivity
• TEES