Heterogenní nukleace a odpojování atomů při jedno-dimensionálním růstu india na Si(100)-2x1

Abstrakt

Kombinací KMC simulací a STM měření byly určeny difúzní bariéry pro indium na povrchu Si(100)-2×1 a diskutována závislost morfologie In vrstvy na parametrech přípravy

Klíčová slova

• Heterogenní
• nukleace
• odpojování
• atomů
• při
• jedno-dimensionálním
• růstu
• india
• Si(100)-2x1