Pozorovali jsme procesy fotoemise vyšších řádů (2- až 4-fotonové) a fotoemise nad ionizačním prahem na površích Cu(001) s využitím světla o střední energii fotonů 3,07 eV. Intenzita 3-fotonové fotoemise s excitací přes n=1 Shockleyův povrchový stav výrazně převýšila intenzitu dvoufotonových procesů.
Fotoemise nad ionizačním prahem probíhá buď jednofotonovými přechody z povrchových rezonancí nad vakuovou hladinou nebo vícefotonovými přechody z povrchových stavů pod hladinou vakua. Experimentální poměr intenzit m-fotonových a (m+1)-fotonových procesů značně závisí na pásové struktuře pevné látky.