V této práci byly epitaxně připraveny tunelové struktury Fe/MgO/Fe/Cr/Fe přímo na GaAs(001) substrátech bez použití podkladové vrstvy. Interdifúze na rozhraní Fe/GaAs byla studována pomocí konverzní Moessbauerovy spektroskopie.
Nezávislé přepínání magnetizace bylo dosaženo fixací magnetizace horní Fe vrstvy tunelového přechodu pomocí antiferomagnetické vazby s pomocnou Fe vrstvou přes Cr mezivrstvu. Pro transportní experimenty byla plocha přechodu zredukována s použitím optické litografie a iontového leptání.
Tunelová magnetorezistence na těchto strukturách dosahovala při pokojové teplotě hodnot 10% - 12%.