Byla zkoumána odezva magnetovodivosti a fotovodivosti v závislosti na aplikovaném THz záření na materiálu tvořeném kvantovou strukturou HgCdTe/HgTe/HgCdTe. Jako zdroj záření byl použit laditelný THz laser (p-Ge-laser) emitující záření v rozsahu 120um < lambda < 180 um.
THz laser slouží k excitaci nosičů z nižších na vyšší Landauovy hladiny. Výsledkem je změna elektrických vlastností materiálu.
Měření fotovodivosti je provedeno na třech typech geometrií vzorek: 6-bodové Hallovské, Corbino a kombinované Hall-Corbino uspořádání. Získané výsledky jsou detailně diskutovány.