- Příprava vrstev GaN:Mn pomocí metody MOVPE a její charakterizace2008 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Transportní defekty v GASb2006 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Impact of Ge doping on MOVPE grown InGaN layers2023 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Relation between Ga Vacancies, Photoluminescence, and Growth Conditions of MOVPE-Prepared GaN Layers2022 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Current-Voltage characteristics of GaSb homojunctions prepared by MOVPE2003 | Matematicko-fyzikální fakulta, Ústřední knihovna
- Transport mechanism and spectral characteristics of GaSb GaAs heterostructures prepared by MOVPE2001 | Matematicko-fyzikální fakulta, Ústřední knihovna
- Transport Mechanism and Spectral Characteristics of GaSb/GaAs heterostructures prepared by MOVPE2002 | Publikace bez příslušnosti k fakultě
- Charge transport study and spectral response of GaSb/GaAs heterojunctions prepared by MOVPE2003 | Matematicko-fyzikální fakulta, Ústřední knihovna
- Optical characterisation of pure MOVPE - grown ZnSe epilayers1994 | Publikace bez příslušnosti k fakultě
- Excitons and Biexcitons in MOVPE-Grown ZnS Epitaxial Layers1995 | Publikace bez příslušnosti k fakultě
- Improvement of luminescence properties of n-GaN using TEGa precursor2020 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Mn doped GaN thin films and nanoparticles2012 | Matematicko-fyzikální fakulta
- In-situ implantace a dopovani vrstev GaN atomy Mn +12009 | Matematicko-fyzikální fakulta
- V-pits formation in InGaN/GaN: influence of threading dislocations and indium content2022 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Strain relaxation of InGaN/GaN Strain relaxation of InGaN/GaN by formation of V-pits by formation of V-pits2019 | Matematicko-fyzikální fakulta
