- Rtg difuzní rozptyl na dislokacích v epitaxních vrstvách GaN2010 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Difuzní rtg.rozptyl od tenkých vrstev GaN/SiC (0001)2006 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Studium nanotyčinek GaN pomocí in-plane rtg rozptylu2008 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Modré svítivé diody na bázi GaN jako základ revoluce osvětlovací techniky2015 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Příprava vrstev GaN:Mn pomocí metody MOVPE a její charakterizace2008 | Matematicko-fyzikální fakulta
- XPS studie ultratenkých vrstev GaN na GaAs(100)2008 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Rozptyl rtg záření na vrstvách GaN. Monte Carlo simulace2009 | Matematicko-fyzikální fakulta
- In-situ implantace a dopovani vrstev GaN atomy Mn +12009 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Baj Gaňo: literární postava v druhém, folklorním životě2014 | Filozofická fakulta
- Nigun ba-derech le-gan Eden2018 | Publikace bez příslušnosti k fakultě
- Mn doped GaN thin films and nanoparticles2012 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Strain relaxation of InGaN/GaN Strain relaxation of InGaN/GaN by formation of V-pits by formation of V-pits2019 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Improvement of luminescence properties of n-GaN using TEGa precursor2020 | Matematicko-fyzikální fakulta
- David Gans's Magen David: Text and Context2022 | Filozofická fakulta
- Diffuse x-ray scattering from stacking faults in a-plane GaN epitaxiallayers2011 | Matematicko-fyzikální fakulta
- David Gans : Pražský renesanční židovský historik2016 | Filozofická fakulta
- Relation between Ga Vacancies, Photoluminescence, and Growth Conditions of MOVPE-Prepared GaN Layers2022 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Jazzový špion? Českobudějovický hudební nadšenec Jiří Gans v soukolí moci2009 | Publikace bez příslušnosti k fakultě
- Modrá záře nad GaN1997 | Matematicko-fyzikální fakulta
- David gans (1541-1613) and the World Chronicle Tsemah David (1592): A Jewish Hhistorian in the Time of Confesionalization2022 | Filozofická fakulta
- Grazing-incidence x-ray diffraction from GaN epitaxial layers withthreading dislocations2011 | Matematicko-fyzikální fakulta
- V-pits formation in InGaN/GaN: influence of threading dislocations and indium content2022 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Electron Transport Properties in High Electron Mobility Transistor Structures Improved by V-Pit Formation on the AlGaN/GaN Interface2023 | Matematicko-fyzikální fakulta
- David Gans and Yom-Tov Lipmann Heller: Two Prague Jewish Scholars of the Late 16th and Early 17th Centuries2011 | Filozofická fakulta
- Three-dimensional reciprocal space mapping with a two-dimensional detector as a low-latency tool for investigating the influence of growth parameters on defects in semipolar GaN2015 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Steady-state and time-resolved near-field optical spectroscopy of GaN/AlN quantum dots and InGaN/GaN quantum wells2002 | Publikace bez příslušnosti k fakultě
- Rapid thermal synthesis of GaN nanocrystals and nanodisks2013 | Matematicko-fyzikální fakulta
- Anisotropic carrier mobility in buckled two-dimensional GaN2017 | Přírodovědecká fakulta
- Three-dimensional reciprocal space mapping of diffuse scattering for the study of stacking faults in semipolar (11(2)over-bar2) GaN layers grown from the sidewall of an r-patterned sapphire substrate2013 | Matematicko-fyzikální fakulta